一、怎么看内存的型号

用一些软件可以看出。。或者直接看内存条

内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：

主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：

现代电子HYUNDAI：HY〔注：代号〕

三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA西门子SIEMENS：HYB

高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M富士通FUJITSU：MB

摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM

美凯龙MICRON：MT德州仪器TMS：TI东芝TOSHIBA：TD或TC

日立HITACHI：HM STI：TM日电NEC：uPD

IBM：BM NPNX：NN

一.日本产系列：

主要厂家有Hitachi〔日立〕，Toshiba〔东芝〕，NEC〔日电〕，Mitsubishi〔三菱〕等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。

1.HITACHI〔日立〕。

日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，

HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HM 52 XX XX 5 X X TT-XX

HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。

第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。

TT为TSOII封装。

最后XX代表速度：

75：7.5ns〔133MHz〕

80：8ns〔125MHz〕

A60：10ns〔PC-100 CL2或3〕

B60：10ns〔PC-100 CL3〕

例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。

2.NEC。

NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：

μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX

μPD4代表是NEC的产品。

"5"代表是SDRAM。

第1、2个X代表容量。

第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。

第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。

第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。

G5为TSOPII封装。

-A后的XX是代表速度：

80：8ns〔125MHz〕

10：10ns〔PC100 CL 3〕

10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。

12：12ns

70：〔PC133〕

75：〔PC133〕

速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。

例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。

3.TOSHIBA东芝。

TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：

TC59S XX XX X FT X-XX

TC代表是东芝的产品。

59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。

第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。

第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。

FT为TSOPII封装。

FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

最后的XX是代表速度：

75：7.5ns〔133MHz〕

80：8ns〔125MHz〕

10：10ns〔100MHz CL=3〕

例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。

二.韩国产系列：

韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。

1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。

三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：

KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX

KM代表是三星的产品。

三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。

"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。

"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。

"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

"T"为TSOP封装。

速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。

"G/F"后的X代表速度：

7：7ns〔143MHz〕

8：8ns〔125MHz〕

H：10ns〔PC100 CL2或3〕

L：10ns〔PC100 CL3〕

10：10ns〔100MHz〕

例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit〔16*4〕，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。

三星公布的标准PC133芯片：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

2.HYUNDAI现代

现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。

现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HY 5X X XXX XX X X X X XX-XX

HY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。

第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V,"U"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

16：16Mbits，4K Ref。

64：64Mbits，8K Ref。

65：64Mbits，4K Ref。

128：128Mbits，8K Ref。

129：128Mbits，4K Ref。

256：256Mbits，16K Ref。

257：256Mbits，8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。

第9个X一般为0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：

JC：400mil SOJ

TC：400mil TSOP-II

TD：13mm TSOP-II

TG：16mm TSOP-II

最后几位为速度：

7：7ns〔143MHz〕

8：8ns〔125MHz〕

10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕

10s：10ns〔PC-100 CL3〕

10：10ns〔100MHz〕

12：12ns〔83MHz〕

15：15ns〔66MHz〕

例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。

3.LGS〔LG Semicon〕

LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。

LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

GM72V XX XX X 1 X X T XX

GM代表为LGS的产品。

72代表SDRAM。

第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。

第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。

第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。

第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。

第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。

"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。

最后的XX自然是代表速度：

7.5：7.5ns〔133MHz〕

8：8ns〔125MHz〕

7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕

7J：10ns〔100MHz〕

10K：10ns〔100MHz〕

12：12ns〔83MHz〕

15：15ns〔66MHz〕

例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。

三.欧美生产系列及其它：

在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。

1.Micron。

Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：

MT48 XX XX M XX AX TG-XX X

MT代表是Micron的产品。

48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。

Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。

M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

AX代表Write Recovery〔Twr〕，如A2表示Twr=2clk。

TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。

最后的XX是代表速度：

7：7ns〔143MHz〕

75：7.5ns〔133MHz〕

8X：8ns〔125MHz〕

其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。

10：10ns〔100MHz CL3〕

速度后如有L则为低耗。

2.IBM。

PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。

IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

IBM03 XX XX X XT3X---XXX

IBM代表为IBM的产品。

IBM的SDRAM产品均为03。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。

一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。

第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。

第6个X为P为低功耗，C为普通。

第7个X表示内核的版本。

最后的XXX代表速度：

68： 6.8ns〔147MHz〕

75A: 7.5NS〔133MHz〕

260或222：10ns〔PC100 CL2或3〕

360或322：10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。

10：10NS〔100MHz〕

例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。

3.SIEMENS〔西门子〕

芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x-xx

前两个xx为容量,最后两位xx是速度：

6—166MHz

7—143MHz

7.5—133MHz

8—125MHz

8B—100MHz〔CL3〕

10—100MHz〔PC66规格

二、内存的序列的问题

内存序列号

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代

表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm

TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改

换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的

Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金

条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG-7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目= 16* 8=128Mbit，其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；M=容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标

识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254]=256Kx、512(514)= 512Kx、1= 1Mx、4= 4Mx、8= 8Mx、16=16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三

星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4= x4、8= x8、16=x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1= 1M、2= 2M、4= 4M、8=8M、16= 16M）；2代表刷新（0= 4K、1= 2K、2= 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7=7ns[143MHz]、8= 8ns[125 MHz]、10= 10ns[100 MHz]、H= 100MHz@ CAS值为2、L=100 MHz@ CAS值为3）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是

10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4=4M、8= 8M、16= 16M、32= 32M、64= 64M、12= 128M、25=

256M、51= 512M、1G= 1G、2G= 2G、4G= 4G）；0代表刷新（0= 64m/4K [15.6μs]、1= 32m/2K

[15.6μs]、2= 128m/8K[15.6μs]、3= 64m/8K[7.8μs]、4=128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针

TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5= 5ns, 200MHz(400Mbps)、6= 6ns,166MHz(333Mbps)、Y= 6.7ns, 150MHz(300Mbps)、Z= 7.5ns,133MHz(266Mbps)、8= 8ns, 125MHz(250Mbps)、0= 10ns, 100MHz(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0= 64m/4K

(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16= x16、18= x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4= 4M、8=8M、16= 16M）；C代表封装类型（C=微型BGA、D=微型BGA [逆转CSP]、W= WL-CSP）；80代表速度（60= 600Mbps、80= 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型

FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率@ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率@ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG-75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16

位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f-gh其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

三、区块链行业的人有多少

区块链币圈众生相低调的暴富者与焦虑的小白

区块链币圈众生相低调的暴富者与焦虑的小白

自从比特币大涨，区块链也站在了众人观摩的前台。笔者在逛了数十个社群后发现，一切有关书写区块链技术的内容实际上只是小众人群在阅读，人们对区块链如何实现数字货币去中心化的原理并不感冒，就连基本的区块链是什么有时候也知之甚少，但这并不能阻止大众对区块链以及各种数字货币的狂热痴迷。

也许正因为不懂，才充满好奇，才更容易被各种骗子骗去做待割韭菜。区块链的潮水奔腾汹涌而来，岸边岸上的众生们真可谓千奇百态。

第一种，区块链小白群体。

特征：生怕搭不上暴富的快车，心里各种焦虑紧张却又倍感无从下手。他们并不知道自己该如何去挖矿赚币，也不知道如何去市场购买和交易，甚至都不知道市场在哪里。他们对区块链以及各种币的了解竟然来自于羡慕嫉妒恨，因为身边人因为买币而一夜暴富。小白群体似乎每时每刻都在渴望交易，却又不太敢下手，持现金观望让他们越来越焦虑紧张，怕错过又有点怕亏输不起。

第二种，区块链项目推广人群。

特征：疯狂加群拉人并甩项目链接。笔者在各类社群中发现，这类链接大多以发放数字货币或送矿机为条件拉人注册，这类人在社交群内见群就进，见人就拉，一切有人的地方都有他们“辛苦忙碌”的身影。更有甚者，自己建群，拉进去足够多的人以后竟然全员实施禁言，之后就是群主或管理员疯狂甩链接，链接内容基本都是一个套路，项目介绍加注册地址，并以注册赠送矿机或币为诱饵。这种丝毫不顾及群内成员个人感受的行为也着实让人匪夷所思。这类人群对区块链及币圈略有所知，但技术上其实并不太了解。其中部分人自己也持有推广的项目币，且对自己能早期入局而略感心安，坚信以后会升值大赚特赚。

第三种，早期有过进入币圈经历的普通程序员人群。

特征：有挖币故事或经历，心态上大部分人属于拍着大腿后悔的人群。由于早年挖币有一定技术门槛，所以这部分人群因为技术身份，很早就接触了挖币，他们也是持有比特币的早期用户。那个时候，他们挖币就是挖币，内心很单纯，有的人带着朋友一起挖，甚至帮助朋友挖（朋友不懂技术，所以基本上是他们替朋友挖）。这类人群挖币时并未想到有可能在未来某一天会让自己暴富甚至从此走向财富自由，所以，很多人在比特币价格到达200到600的时候，就已经选择变现。

戏剧性的是那些不懂技术，程序员朋友替自己挖的人群，有的人因为不懂技术或没在意悲催的忘记了当初挖币的密钥，或者丢失了当初的系统文件，让自己的比特币永远冷冻了起来，找不到的已经悔恨的想死，而找到密钥或系统文件的人最后等来了高昂的回报。提早变现的程序员们与忘记密钥或弄丢系统文件的人们，在看到天价比特币后，一边拍着大腿后悔，一边又蠢蠢欲动，后悔并焦急着。

第四种，运作项目的CEO们

特征：亲见了比特币，以太坊大佬们赚的盆满钵满，再也无法按捺内心的激动，迅速投入滚滚洪流之中。他们有对未来的畅想，也有遭遇监管后的焦虑。但真正想在行业内做点事的CEO们实际上对监管比较欢迎，这类群体考虑更多的是行业生态的健康长远发展。

第五种，商业巨头们

特征：一部分商业巨头谨慎观望，一部分已经投入怀抱，还有一部分避开发币去尝试区块链技术中的智能合约的广泛应用。最近万达在区块链上的布局，媒体已经进行了大肆报道。

第六种，投资大佬们

特征：低调成了他们的代名词。他们很少大肆宣扬自己在比特币上赚了多少，但也很少提自己被套了多少。

作为嗅觉敏锐的投资大佬，任何新动向都是他们关注的焦点，他们中很多人既用旁观者的眼光冷静观察，又默默关注着真正有潜力的种子公司。这一群体在各种场合下显得十分低调。

第七种，各方媒体们

特征：努力恶补区块链基础知识，追踪币圈各种料。这一群体可简单分为两个阵营，一部分致力于纯粹的资讯报道以及深度行业分析，他们用第三者的眼光去看行业内出现的各种现象并作出解读。另外一个阵营则选择了为新事物站台背书，当然他们往往也带着批判和怀疑的思维去发现区块链真正的合理应用。

滚滚潮水袭来，众生千奇百态。区块链币圈到底该怎么去认识呢？如何去避开币圈的骗子们呢？区块链泡泡头条号以及微信公众号下一篇将以举栗子的形式给大家呈现当下的骗术及套路。

最后还是那句话，兼听则明，偏听则暗。本人仅代表区块链泡泡观点，不能作为各位投资指导。

全球区块链人才有多缺？

区块链自诞生以来，一直处在争议的漩涡中，但这并不妨碍区块链的市场热度，最近3年全球区块链人才已增长近19倍。尽管增幅明显，但领英数据显示，全球区块链人才总量仍然比较少，仅相当于领英平台全球AI人才数量的2%左右，具备“区块链思维”和“应用开发经验”的人才更是极度匮乏。

领英数据显示，全球对区块链人才的需求量从2015年开始出现增长，在2016年至2017年呈现爆发式增长态势。从人才供给端来看，近年来对区块链人才需求增长最快的行业是计算机软件行业，其次是金融服务及保险行业，其他行业尚未产生大规模的人才需求。

领英数据显示，2015年至2017年期间，在领英档案上标注有区块链相关技能的人才数量增长近19倍，但在领英平台全球AI人才数量的占比并不高，仅为2%左右。从这类人才的全球分布来看，美国占比25%，紧随其后的是印度和英国，占比分别为7%和6%。中国的相关人才基数比较小，主要集中在北京和上海。业界人士认为，区块链开发最受欢迎的编程语言是C++和Go，精通密码学和分布式计算的资深人才对区块链开发也具有先天优势。

领英中国技术副总裁王迪表示，“区块链是一个由技术社区驱动、仍处于早期快速发展阶段的新兴技术模式，目前尚不完备。区块链开发更需要具备去中心化思维、实际应用开发经验以及快速的学习能力。用通俗的话来讲，区块链开发需要的是‘软技能’，AI需要的是‘硬实力’。”

“当前具备区块链思维和应用开发经验的人才非常稀缺。”王迪认为，“意图发力区块链概念、掘金商业机会的企业，既需要这样的人才作为项目领军人物，也需要建立更长期的战略目标来培养和储备更多年轻的技术人才，这样才能在行业迎来真正的风口时抓住机会。另外，也可以与美国、英国和印度等国家开展人才和技术合作，这些国家具备区块链开发经验的人才比国内更多一些。”

2017年年底，德勤发布的一份基于全球软件协作平台GitHub上区块链技术和项目的分析显示，目前Github上共有86034个区块链项目，但仅有8%的项目有人维护，5%的项目存活下来，项目平均寿命仅1.22年。

火了就什么都缺。

比特币中国第一人

中国比特币第一人是李笑来,曾经持有100000个比特币。

比特币（Bitcoin）的概念最初由中本聪在2008年11月1日提出，并于2009年1月3日正式诞生。

根据中本聪的思路设计发布的开源软件以及建构其上的P2P网络。比特币是一种P2P形式的数字货币。比特币的交易记录公开透明。点对点的传输意味着一个去中心化的支付系统。

与大多数货币不同，比特币不依靠特定货币机构发行，它依据特定算法，通过大量的计算产生，比特币经济使用整个P2P网络中众多节点构成的分布式数据库来确认并记录所有的交易行为，并使用密码学的设计来确保货币流通各个环节安全性。

区块链人才有多贵？

21世纪什么最贵？可能是区块链人才。

从上海某211大学硕士毕业的张岩（化名）今年暑期开始在一家区块链公司实习，主要负责行业信息的收集，实习期间工资为8000元，转正以后月薪将达到22000元。

张岩的起薪已经远高于应届毕业生首次就业的工资水平。根据上海市人社局的统计，2017届上海高校毕业生中，本科学历毕业生的平均月薪为4793元，硕士及以上学历毕业生的平均月薪为8001元。

业内人士分析指出，目前行业人才紧缺度高，符合招聘要求的人才少，供需失衡导致人才溢价较高，预计两到三年后，待到区块链技术落地应用、全面开花时，市场的供求关系会进入一个稳定阶段。

区块链人才有多贵？

“我们招人一直都不顺利，一个季度可能能进来5-8个人，只能达到我们预期的20%。”云象区块链创始人邓旭一直希望将团队迅速扩充到拥有100人的技术人员的队伍，但却苦于找不到合适的人才。

朋友圈招聘信息

他向中新经纬指出，目前区块链底层技术人才一般年薪在50-80万之间，而应用方面的人才则在30-50万之间，能够主持区块链项目的还会给予期权激励。但即便如此，还是难以招到合适的人才。

求贤如渴，这四个字用来形容当下企业对区块链人才的渴求再合适不过。李思鸿（化名）在一家上市公司工作，今年上半年，这家上市公司也上线了区块链项目。近期，他所在的团队需要招聘一名区块链分析师。他在朋友圈上发了一个招聘广告，要求做过金融行业卖方分析师，最好了解区块链行业但不强求。“推荐成功我愿意给1000元奖励。”没过几天，李思鸿便把这个奖励升级到了一台iPhoneX。

在某招聘网站上，搜索“区块链+技术”两个关键词，跳出来的职位年薪多数在30万以上，上百万的也不少见，一些金融投资公司和网络游戏公司给出的薪资甚至可以达到200万。以矿机霸主比特大陆为例，其招聘的CTO（首席技术官）岗位给到了60-96万年薪，但对学历要求并不高，“计算机等相关专业本科以上”，但要求熟悉链圈/币圈实际运用规则，曾参与某个区块链或交易所开发项目优先。

某招聘网站截图

研究岗位的薪水也同样不菲。火币网近期招聘一位区块链研究院院长，年薪最高可达140万，并称将优先考虑知名证券公司专业大咖和区块链行业的自媒体专栏作者。

值得注意的是，在这些招聘公司中，既有京东等互联网巨头公司，也有中国平安、德勤、复星这样的老牌金融企业。

区块链相关人才的薪酬已超过以往薪酬最高的金融和互联网行业，猎聘网发布的《2018Q1中高端人才薪酬与流动大数据报告》显示，金融和互联网行业的平均年薪突破20万元，而区块链的平均年薪则超过30万元。上述报告也同样指出，与人工智能等在金融创新领域中亟需的人才相比，目前招聘企业对区块链人才在学历、经验等方面的要求相对较低。

Boss直聘的数据则指出，截至2018年2月，区块链相关岗位占到互联网行业总岗位量的0.41%，但专业区块链技术人才的供需比仅为0.15，供给严重不足。

某公司招聘信息

高薪找不到人的尴尬局面如何破？

“我理想中的区块链人才主要有两个标准，一是有计算机基础，二是有算法基础。”邓旭说。

据算力智库创始人燕丽介绍，区块链的人才分三种类型：

一是做内容研究方面，这类人才原来大多从事财经资讯类、传统研究类等工作，经过一到两个月的培训适应就可以上手岗位；

二是产品的技术开发类，这一块需要成熟的计算机技术人才，如研究底层数据开发、数据存储等方面，他们需要在区块链的场景中重新分配自身的工作领域，经过两到三个月可以适应岗位需求；

三是产品需求的提炼师，这是最难找的人才，他们既需要懂区块链的业务逻辑、挖掘痛点，又需要懂技术，能够将客户的需求与技术开发人员的能力沟通串联。

亿欧智库分析师尚鞅也向中新经纬指出，区块链本质是分布式的加密数据库，核心思路是去中心化。区块链是从比特币演变而来的，此前高校里几乎没有开设相关课程，所以今天的区块链技术从业人员大多是自学，客观上凡是计算机专业背景的都有条件能学会。但是技术不是关键，关键是找到合适的应用场景。只有当某个场景下，将数据进行分布式存储能够具备不可替代性和为企业带来显著效益的提升，才算是好的应用场景，所以链上的应用目前仍属于探索阶段。

“应用型人才太少了，”尚鞅说，任何新技术的应用转化都需要一个过程，而目前很多技术人员不懂产品。

邓旭分析当前造成区块链人才短缺的原因主要有三个：一方面，区块链普及速度快，而技术人员数量较少，造成了供需失衡；另一方面，区块链实际上是综合性技术，囊括了计算机语言、算法、通信、密码学等四大块，目前高校培养的人才一般只具备一两方面的知识储备。此外，随着去年ico的火热，诞生了一大批新的区块链公司,进一步加剧了区块链供需失衡的局面。

随着区块链概念的大火，一些高校开始开设课程，培训机构也纷纷入场分羹。燕丽建议，偏理工科的顶尖高校可以继续发挥优势，培养区块链技术应用人才；而在业务方面上，仍然主要依靠传统行业转型过来的人才进行填补；社会组织、研究中心等机构可以组织区块链行业人才的职业培训，但好的职业培训必须要持续两到三个月，而非两三天的“速成”培训。

不过，邓旭指出，现阶段培训只能为行业补充一些中低端的技术人才，但解决不了高端人才的问题。尚鞅也指出，开设了相关课程的大学也面临难以留住师资的问题。“一方面容易被企业挖走，另一方面，真正懂技术和应用的人大多选择自己开公司，或者去炒币了。”

“区块链技术是一门离钱最近的技术，因此很多人沉不下心来做技术，而且技术很复杂，又比较枯燥。”邓旭说。

内容来源观察者网

虚拟货币圈几位大神天才，V神、BM、孙宇晨，哪个更胜一筹呢？

说到虚拟货币圈的大神，首推的当属比特币的创始人中本聪了。

但这位高人神龙见首不见尾，自从2008年10月31日发表了一篇题为《比特币：一种点对点式的电子现金系统》的论文后，便消失于人们的视野当中了，江湖上也只留下他的传说。

中本聪是如何做到在人肉搜索那么强大的互联网上隐藏自己的身份的？

有人说中本聪根本不是一个人，而是一个幕后组织，也有人说中本聪已经死了，还有一些人站出来承认自己就是中本聪，但却得不到人们的认可。这个虚拟货币圈“创世纪”的人物可能只存在于人们的传说中了。

以太坊创始人V神。

1994年，一个小男孩出生于俄罗斯，父母给他起名VitalikButerin。受程序员父亲的影响和熏陶，V神在很小的时候就开始接触计算机编程。

2011年，V神从他父亲那里了解到比特币。在论坛上认识一些人之后，他被邀请为一个比特币博客写文章，当时，他写一篇文章可以得到5个比特币（价值3.5美元）。可惜的是，由于当时只有很少的人关注比特币，这个博客网站很快关停了。

2013年，V神周游全球，他曾有一段时间待在中国，他的中文也很好，常和中国网友在论坛上用中文交流。

2013年19岁的布特林进入加拿大滑铁卢大学。能用这样的名字命名，可见这个大学也绝非泛泛之辈。这所大学在加拿大排名第三，并且是北美最优秀的学校之一。可惜V神只在区块链，入学8个月后，就走上了很多大佬的老路：辍学了。

2014年1月23日，20岁的小V神在比特币杂志上发表了《以太坊：一个下一代加密货币和去中心化应用平台》一文，首次公开提出以太坊技术相关概念。

以太坊已经不是一个单一的货币了，而是一个全新的区块链平台，允许任何人在平台中建立和使用通过区块链技术运行的去中心化应用，且不局限于数字货币交易。

如果说中本聪和比特币掀开了21世纪区块链革命的大幕，那么V神则接过了中本聪手中的火炬，与以太坊一起开启了区块链2.0时代，给革命画卷添上了浓墨重彩的一笔。

EOS（柚子币）创始人BM

BM原名Daniellarimer，币圈一般都叫他BM。BM诞生于美国的工程师家庭，从小在他老爸的指导下在Mac上进行编程。

BM在09年比特币出现之前，就已经开始研究开发一种数字货币了，而就在BM研发数字货币的时候，比特币横空出世。但是发现比特币存在可测量性的问题很难支持小型支付，于是他就和中本聪在论坛里互怼起来。

2010年7月，BM觉得比特币10分钟一次的交易确认时间太长，使用起来很不方便，于是就在当时全球最大的比特币社区里发了一个帖子公开指出这一问题，提出改进共识机制。

没想到引来了中本聪本尊的回应：“Ifyoudon’tbelievemeordon’tgetit,Idon’thavetimetotrytoconvinceyou,sorry.”（如果你不信或者不理解，我也没时间去说服你，抱歉。）

后来这句话成为了币圈的金句，翻译成中文就是：爱玩玩，不玩滚。

之后BM自己就开发出了去中心化交易平台BTS（BitShares），同时创造出了DPOS（授权股权证明）共识机制，不同于比特币的POW（工作量证明）。

然后BM又开发了STEEM和之后的EOS，BM也成为了目前世界上唯一一个连续成功开发了三个基于区块链技术的去中心化系统，并且都曾进入世界前50的人。

波场币创始人孙宇晨（Justin）

把孙宇晨放入这个名单中，大家是不是觉得：这不是在开玩笑吧。诚然孙总在技术上无法企及上面几位的高度，但要说起营销的话，估计币圈没几个人能比得上孙总。

2015年，马云创立湖畔大学，孙宇晨作为区块链行业代表，成为湖畔大学的首期学员。自那以后，他就自称是马云最年轻门徒。

2017年，ICO站在了风口上。作为区块链的早期参与者，孙宇晨肯定不能错过。

7月，孙宇晨发布区块链项目——波场，拉上这些年认识的大佬，包括比特大陆吴忌寒、OFO戴威、、薛蛮子等。8月21日，波场直接在币安平台开启认筹，5亿个波场币在53秒内以0.01元的价格出售完毕。其实也才500万而已，有这么多资本给背书，自己随便抢一下不就完了吗。

之后赶上了94事件，要求相关项目进行清退，币圈陷入恐慌，ICO瞬间冷却下来。孙宇晨苦思之后，想到了一个营销方法：因为波场最开始对标的就是以太坊，碰瓷以太坊的创始人V神怎么看都合情合理。

之后，V神的推特下水军出没，常常出现踩以太坊夸波场的言论。V神跑去看看波场，白皮书抄的，代码抄的，啥也没有的空气啊。这下彻底怒了，回怼道：“如果以太坊被波场取代的话，那么人们将失去希望！”

孙宇晨一看V神下水了，营销已经成功。颇为“绅士”的回应：“如果波场取代以太坊，我将为以太坊树碑立传。”

2017年12月，孙宇晨发动豪车攻势，交易排名前列者送玛莎拉蒂、奔驰等礼品。一波波骚操作下来，2018年1月，波场达到历史最高点1.3元，相比发行价暴涨了130倍，流通市值近22亿美元。一时间，孙宇晨豪言壮语，“马云做到了1000亿用了十年，但我只用了四个月。”

2019年6月，孙宇晨花了3000万拍到巴菲特午餐，万众期待，不是好奇他多有钱，而是想看巴菲特怎么怼他。因为巴菲特之前说过，虚拟货币基本上就是一种幻想。

按照原计划，7月25日，孙宇晨会和巴菲特在旧金山共进午餐。谁也没想到午餐前夕，孙宇晨却突然宣布不去了。理由是：突发肾结石。

这波操作估计连巴菲特老爷子都要感慨：活久见啊。

拍下午餐吸引一波眼球，放鸽子再引发一波争议，最后吃饭再营销一波，“一餐三用”的操作你感觉水平如何？在2020年1月，孙宇晨也是“圆梦”巴菲特，和他共进了午餐。

至于其它的方法，比如：

罗永浩创业失败，他慷慨地说“高薪聘请”，为他捐排忧解难；

ofo深陷押金退还危机，他站出来说“要帮朋友戴威给1万个ofo用户退押金”；

见义勇为反被拘捕，他又站出来宣布“为被冤枉的赵宇先生提供总计1000万元的支持计划”；

还有和王思聪互怼、和王小川互撕等故事就不胜枚举了。

看完了上面的介绍，如果说孙宇晨是个营销天才，你还会质疑吗？

那些干区块链行业的人都在干些什么？

近年来区块链相关的概念火得发紫，吸引了不少人入行，那这些真正投身区块链行业的人都在干些什么呢？

通常我们说的“区块链行业”是一个泛称，包含了相互关联又独立成型的三大支柱产业：币圈、矿圈、链圈。就目前阶段来说，“钱”景最好的是币圈，其次是矿圈，最后是链圈。

币圈

币圈主要是围绕着数字货币（也称为虚拟货币、加密货币）的发行、支付、证券等方面做工作。

最早同时也最成功的数字货币是比特币（BTC），至今匿名的大佬中本聪（SatoshiNakamoto）在2008年~2009年发布的比特币白皮书和软件标志着比特币的诞生，在这之后的数字货币发行主要有三种方式：分叉、自研、通证（Token）：

1、常见币种中BCH、LTC、DCR、DASH、ZEC等均是通过分叉BTC而来，主要是在性能、隐私性、加密算法等方面有一些不一样的主张。

2、ETH、EOS等则是比较成功的自研项目，他们往往不是满足于发行一个新币，而是尝试做一套支持开发智能合约、去中心化应用的公共平台。

3、通证（Token）发行则主要是借助前述公共平台的能力，以非常快速、简便的方式发行新的币种，这些新币种通常是在业务层面有些创新或融合；通证（Token）打开了数字货币发行的新世界大门，项目众筹（I-C-O）、稳定币（USDT等）、平台币、I-E-O等轮番上演，可谓是百花齐放、鱼龙混杂。

支付是货币的基本功能，为了让数字货币更快更方便的用于交易和流通，诞生了很多优秀的产品，如支持很多币种的在线或离线钱包、支持点对点或担保交易的结算系统、支持数字货币和法定货币互相兑换的平台等。

交易所的出现，让数字货币拥有了很强的证券属性，常见的交易所通常都支持OTC（C2C）交易、币币交易、合约交易等功能，为投资者提供7x24小时实时在线的数字货币交易服务。参与交易的投资者多了，也衍生出来诸如量化、基金、借贷等的投资服务。伴随着几轮大牛市，数字货币被越来越多的人认识、接受并参与投资，证券功能相比支付功能发展得要强大的多。

矿圈

随着技术的发展和竞争的加剧，矿机、矿池、矿池及整合前三者的云算力服务成为矿圈的主要业务模式。

从通俗意义上理解，挖矿是通过计算机产生新的数字货币的过程。早期的数字货币特别是市值最大的比特币通常采用工作量证明（POW）机制来确保去中心化网络的正常运行，并给予参与者数字货币奖励。随着数字货币的价值提升，挖矿的竞争不断加剧，产生新币需要的计算能力也在不断且大幅地增加：最早期的比特币通过个人电脑的CPU即可挖矿，之后运算能力更强的GPU取代了CPU，再往后专用的矿机特别是ASIC（专用集成电路）矿机成为主角。研发ASIC矿机最重要的是专用的高性能芯片的研发，代表着最前沿的技术能力；其次是矿机的稳定性及能效比。矿机的生产通常是通过代工厂，但强大的供应链、物流管理、营销推广、售后服务等能力也是必不可少。

矿场是集中部署矿机的地方，最理想的矿场是按照数据中心的标准来建设，但因成本考虑几乎无法达到。最基本的矿场建设需要廉价稳定的电力供应、安全宽敞的场地、专业的运维团队等条件，同时需要配备机架机柜、温度调节、噪音隔离等设施。而廉价稳定的电力做为最重要的资源通常是少数人（公司）拥有的，他们通常会倒卖资源或建设矿场自营挖矿和提供矿机托管服务。

矿池的出现同样也是因为挖矿难度的不断增长，即时你有一台最先进的ASIC矿机，直接挖到币的概率也很低了。矿池能将很多矿机联合起来，形成一个庞大的算力池子，增加获取挖矿奖励的概率。主要原理是将同一个挖矿任务拆分下发给连接到矿池的矿机，并接收验证矿机提交的计算结果，符合挖矿要求则提交到链上获取奖励，同时也会统计不同矿机的算力，根据算力大小分配获得的奖励。