一、零点差和裸点差的区别

外汇点差是什么？

点差在本质上是买入价与卖盘价之间的差额。因为交易者往往会以一种货币交易另一种货币，所以外汇交易的货币往往是针对目前与另一种货币对比的价格进行报价的。

简单来说就是大家交易的品种当汇率变化时，点数波动的差值就为"点差"。例如：Exness的MT5平台上的BTC/USD（比特币/美元）目前的汇款为43645.74/43683.45，点差为3771。

注意：由于外汇市场的点差是浮动点差，因此每当外汇行情进行波动时，点差也是会随着行情波动变大而变大的，变小而变小。因此点差是非常不固定的数值。

外汇裸点差是什么？

外汇裸点差也就是指平台商从流动报价商那边获得的第一手点差，由于此时的点差是没有平台商在其中添加一些费用，因此也被大家称为裸点点差。

一般来说裸点点差是十分低的，而目前我们在外汇平台看到的点差，通常是被平台加了点差费的点差，注意：一般被平台加了点差费的品种点差也不是很高的。

但是如果大家看到的点差是高的不正常，例如：欧美货币对的点差在20左右（欧美品种的点差一般在10左右），那么大家可能是在开户时被代理加了暗点，也就是加了点差，因此他看到的点差是高于市场的，也就是高于平台商加了点差费的点差。

二、区块链跌了多少美金,最近区块链怎么大跌

比特币价格凌晨突发大跳水，4小时下跌近三千三美元，造成下跌的原因是啥?

比特币价格凌晨突发大跳水，4小时下跌近三千三美元，造成下跌的原因是：

1.估值太高市场已经感到恐慌；

2.各国对虚拟货币不认可导致价值降低；

3.涨幅太大，获利盘丰厚，抛压巨大。

比特币作为新兴产业受到了很多人的喜欢，比特币区块链中的金融属性能够改变互联网的未来，这让很多投机资金开始对比特币进行炒作，炒作之后可能就面临非常大的风险。比特币价格凌晨突发大跳水，4小时下跌近三千三美元，造成下跌的原因还是估值太高，市场已经感到恐慌，一枚数字货币可以价值30多万人民币这是很多人都不敢想象的事情，关键是这样的虚拟货币没有得到任何政府的认可，投资资金炒作之后都已经出局，没有人愿意在高位接盘，这是下跌的最主要原因。

一、比特币估值太高市场已经感到恐慌

这个世界上没有任何商品能够一直上涨，比特币这十多年时间已经涨了几万倍，这是非常夸张的数据，比特币经过这么久的上涨已经积累了很多泡沫，比特币估值也非常高，已经让很多投资者感到了恐慌，这是比特币下跌的主要原因。

二、各国政府对虚拟货币不认可导致价值降低

比特币和国家货币之间造成了冲突，比特币没有得到任何国家的认可，这就让很多人担心比特币今后可能会面临政治风险导致价值降低，这也是比特币大跌的原因。

三、比特币涨幅太大获利盘丰厚抛盘压力大

最近一段时间比特币为首的虚拟货币都出现了大面积的上涨，这些上涨让很多投机资金获利巨大，这个时候他们要兑现利润就会抛出比特币，抛盘太大肯定会有人压低价格，这就导致了比特币下跌，从而出现恐慌现象。

比特币半年来首次跌穿3万美元，接下来还会继续下跌吗？

我个人觉得大概率会继续跌，因为比特币目前已经度过了牛市，接下来很可能是熊市。

在整个区块链市场，几乎所有的山寨币都会被比特币影响，这就意味着当比特币暴涨的时候，其他山寨币也会暴涨。比特币涨了近10倍，而其他的代币涨了近10倍甚至百倍。现在比特币已经从最高的65000美元跌到了3万美元左右，在大势的影响之下，熊市基本上已经确认了。

这个事情是怎么回事？

这要讲一下目前虚拟货币的市场行情，从5月12号的顶点开始，虚拟货币市场已经经历了近一个月左右的暴跌行情。比特币今年的最高点是65000美元，之后一路下跌，并且维持在了32000美元到38000美元的区间。现在比特币首次跌穿3万美元大关，很多人觉得比特币会继续下跌。

我觉得比特币会继续下跌。

正如我在上面所提到的那样，比特币的行情会遵循一定的大趋势，目前的大趋势是熊市，这就意味着比特币的行情很难走出强烈反弹的走势。在熊市行情到来之时，不仅比特币会出现暴跌的行情，几乎所有的山寨币都会达到50%以上的跌幅，有些山寨币已经跌了70%以上。

我觉得大趋势已经很难改了。

道理也非常简单，从去年5月份开始，虚拟货币市场一路上涨。在这个大趋势下，很多虚拟货币暴涨了10倍以上。现在整个虚拟货币市场已经存在过大的泡沫，市场也没有其资金进来了，这个泡沫不可能一直持续下去。我觉得虽然目前比特币已经跌破了3万美元大关，但很有可能会继续一路狂跌，最后跌到1万美元左右。

最后，虚拟货币本身并没有任何价值，不建议大家投资虚拟货币。

比特币一度跌破四万八美元！盖茨说“你不是马斯克就要小心”

图：ICphoto

根据区块链分析公司Glassnode的数据，自上周五以来，大约有4万枚BTC（价值21亿美元）被转移到主要的加密货币交易所，从而将比特币储备推升至自1月底以来的最高水平。韩国加密数据公司CryptoQuant的首席执行官KiYoungJu表示，比特币大部分流向了美国交易所Gemini。在周一的市场抛售之前，大约有34000枚BTC流入Gemini。数据显示，在北京时间22日凌晨3时左右，有28000枚BTC流入Gemini交易所。

与此同时，全球市值前100名的数字货币有53个上涨，47个下跌。ETH报1722.63美元，24小时跌9.93%，EOS报4.52美元，24小时跌9.48%。

微博热搜数据显示，“比特币大跌”登上微博热搜榜，现排名第四位，截至10:00热度值为978384。

昨日晚间，美股开盘前10分钟，主流加密数字货币加速跳水，比特币5分钟内跌超3000美元，跌穿5万美元大关后迅速跌至4.8万美元下方，24小时内跌幅扩大至超17%。随后价格反弹，在53000美元以下震荡。以太坊日内跌幅扩大至20％，报1547.77美元。

更早之前，美国财政部长耶伦谈到比特币时表示，比特币的波动性非常大，人们应当要小心，投资者可能会遭受潜在的损失。比特币经常被用于非法融资，效率低下。

另据比特币家园网数据显示,全网24小时近35万人爆仓,损失达34.32亿美元的资金。

随着今年比特币的暴涨，比特币市值上周五超过1万亿美元，在过去的六个月中，比特币的价格上涨了大约350%。

近日，特斯拉宣布改变投资政策，开始增持加密货币和黄金，其中最值得注意的是一笔15亿美元的比特币投资。以目前接近5.2万美元的交易价格计算，特斯拉或已赚超6亿美元。同时，特斯拉宣布将于短期内开始接受比特币作为购买电动车的支付工具。

但比尔·盖茨在2月22日表示，“如果你没有埃隆那么多的钱，你还是应该小心点”，他表示不是比特币的粉丝，因为比特币的开采会消耗大量能源，对环境造成影响。此外，他还为马斯克以外的其他投资者感到担心。盖茨认为，那些在比特币热潮中买进的人，他们可能没有那么多闲钱。

摩根大通表示，近期价格暴涨的比特币是一场经济的助兴表演，而金融科技创新才是金融服务行业主旋律故事。摩根大通分析师表示，尽管比特币价格大涨，但这种加密货币仍受到一系列问题的困扰，导致其无法成为主流资产。

编辑徐超校对刘军

比特币跌破5500美元，那些辛苦的“矿工”会遭受多大的损失？

比特币已经跌破了5000美元，跌幅超过40%，数据显示比特币已经成为这一轮跌幅最大的资产之一，仅次于石油。最近与比特币共振的特斯拉，跌幅也到了40%。比特币为什么跌破5000美金，昨日吴说区块链已经做了详细分析：《疫情扩散全球危机别再期待比特币减半了！》。核心原因是新冠肺炎的全球蔓延与加剧，进而导致人们现金为王，从投机性产品中撤出现金与不敢进行投机。

比特币已经跌破了5000美元，跌幅超过40%，数据显示比特币已经成为这一轮跌幅最大的资产之一，仅次于石油。最近与比特币共振的特斯拉，跌幅也到了40%。

比特币为什么跌破5000美金，昨日吴说区块链已经做了详细分析：《疫情扩散全球危机别再期待比特币减半了！》。

现金是目前唯一没有跌幅的资产，投资者们自然用脚投票。有数据显示抄底陆续开始，76%的coinbase用户正在买进，持有1btc的用户地址数达到新高；中国宣布新冠肺炎已度过高峰，显示此次流行病的可控性，以中国的时间来看，欧美国家在2个月后也会度过高峰，届时世界经济回复正常；在世界经济恢复正常时，比特币减半来临，将带来一波正向情绪。

对于矿工与矿机厂商来说，如果维持目前的币价与总算力，那么在减半后以正常电费计算，将只有S19、S17、M30S等寥寥几款矿机可以回本。对矿业来说总体是不利的，因为减半行情与币价狂跌结合，丰水期前布局的新进矿工将大幅减少，2019年初，比特币狂跌到3000美金时，不少矿场停机，一些基础款的二手矿机如蚂蚁S9几乎被当作废铁、白菜价出清，当时一些币圈人士以极低的价格抄底上万台矿机。数个月后币价迅速回升，他们将矿机转手甩卖，立刻获得数十倍的利润。

比特币跌破8000美元，当初的比特币有多疯狂？

在十月八日根据数据显示，比特币近期经历了许多剧烈的价格变化。比特币最近回到1万美元大关后，近日又经历了一次大幅下跌，价格跌至8000美元以下，单价跌至7700美元，为近四个月来的最低价格，最后一次大幅下跌发生在9月25日。

人的本性是贪婪，每个人都在尽可能短的时间内追求和寻求最大的利益。继股市和房地产之后，以比特币为代表的虚拟数字现金已经成为许多人眼中的“聚宝盆”，希望通过每天的货币投机实现金融自由。2017年12月，比特币价格达到2万美元的峰值，这给了许多人信心，也让许多仍在观望的人步入了货币圈。不同的是，那些来得早的人在等待更高的投掷点，而那些来得晚的人整天都在担心。一个多月来，比特币的趋势只能用刺激来描述。

想当初，比特币的创始人中本聪为比特币设定了2100万枚的供应总量，截至目前，来自世界各地的矿工已经挖出1680多万枚比特币，也就是说还剩下420万枚比特币没有被挖出，而这也成为矿工们最后的机会。

许多人都知道这个故事。八年前，一名程序员用10，000个比特币买了两块比萨饼，一块价值约0.003美分。八年后，全球2100万比特币的总价值已经升至1万亿元。然而，疯狂是有代价的！树木不能长到天上，只要是泡沫，它迟早会破裂。报应没有来，只是晚一点而已。这1万亿元的泡沫终于结束了！

比特币再现暴跌行情，一小时跳水1万美元，是什么原因导致的？

9月7日，加密货币市场价格集体暴跌。比特币从52920一度跌至42843，金额超过10000美元，跌幅超过19%。以太坊从3969，跌至3005美元，跌幅超过24%，币圈全线偏红，有些跌幅超过30%。

9月7日的暴跌，与今年5月19日的暴跌被加密圈列为2021年加密圈暴跌纪念日。既然事实已经发生，那么我们来分析一下原因。

俄罗斯与萨尔瓦多事件

1-1.萨尔瓦多利好落地。9月7日，萨尔瓦多宣布接受比特币作为本国法币，全球市场再次聚焦比特币。萨尔瓦多是中美洲人口最少的国家，只有650万人，GDP也只有248亿美元。就是这样一个小国，最近却因为比特币而大出风头。

加密圈很多人奔走相告，认为此事件的宣布无疑在整个加密史上写下了浓墨重彩的一页，其意义非凡！此后更多的机构甚至国家都开始加入了对比特币等加密货币的深入研究和布局，大量机构逢低入局，也助推比特币价格再创新高。

但是萨尔瓦多只是一个小国，而且他们本来就是以美元货币为主要流通手段，比特币作为萨尔瓦多的一个炒作噱头，其真正实际影响应该是没这么大。

俄罗斯的当头一棒

据俄罗斯《消息报》网站9月7日报道，俄罗斯总统发言人佩斯科夫7日表示，俄罗斯不准备承认比特币，也没有理由承认。佩斯科夫认为，将这种加密货币与法定货币同等对待只会破坏金融和经济体系。他补充说：“如果完全承认它是一种支付手段的话。”

俄罗斯是世界级的大国，联合国安理会的五大常任理事国，两个国家的表态孰轻孰重，市场已经给出了反应。

NFT的热潮泡沫

NFT兴起于今年三月，一张JGP图片少则上万美元，多则千万美元，市场泡沫严重。9月7日这次暴跌事件，不仅清除了大量跟风合约/比特币追高资金，也蔓延了恐慌情绪，让NFT相关商品回归到更理想的价格区别。

比特币是美国金融收割工具

区块链技术研发是得到全球主流国家认同的，世界级大国们都在进行区块链技术研发军备竞赛，以求在这个领域抢占先机。但各国对待比特币态度有差异，但是中国/德国/俄罗斯等国都是承认货币属性，只有美国对待比特币态度“暧昧”。

USDT等一系列稳定币都是美国公司，上市等第一家加密货币交易所也是美企。Defi/NFT等流行于全球的新概念也是兴起于美国。这些迹象表明，比特币正在成为美联储暗收割全球的收割工具。

文章最后

比特币在5月份暴跌到3万美元后，随后两个月3次触碰3万美元大关，然后8月份开始一路反弹到5.29万美元，9月7日又暴跌1万美元，充分说明比特币投机属性严重，容易带来动辄暴涨暴跌的巨大波动，大家要提高风险意识。

客观来说，一些技术本身是没有对错的，比如区块链、NFT，都是有很好的应用，像NFT如果用于知识产权保护也是很不错的。但东西再好，也架不住人性贪婪的炒作。

三、怎么看内存的型号

用一些软件可以看出。。或者直接看内存条

内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：

主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：

现代电子HYUNDAI：HY〔注：代号〕

三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA西门子SIEMENS：HYB

高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M富士通FUJITSU：MB

摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM

美凯龙MICRON：MT德州仪器TMS：TI东芝TOSHIBA：TD或TC

日立HITACHI：HM STI：TM日电NEC：uPD

IBM：BM NPNX：NN

一.日本产系列：

主要厂家有Hitachi〔日立〕，Toshiba〔东芝〕，NEC〔日电〕，Mitsubishi〔三菱〕等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。

1.HITACHI〔日立〕。

日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，

HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HM 52 XX XX 5 X X TT-XX

HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。

第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。

TT为TSOII封装。

最后XX代表速度：

75：7.5ns〔133MHz〕

80：8ns〔125MHz〕

A60：10ns〔PC-100 CL2或3〕

B60：10ns〔PC-100 CL3〕

例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。

2.NEC。

NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：

μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX

μPD4代表是NEC的产品。

"5"代表是SDRAM。

第1、2个X代表容量。

第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。

第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。

第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。

G5为TSOPII封装。

-A后的XX是代表速度：

80：8ns〔125MHz〕

10：10ns〔PC100 CL 3〕

10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。

12：12ns

70：〔PC133〕

75：〔PC133〕

速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。

例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。

3.TOSHIBA东芝。

TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：

TC59S XX XX X FT X-XX

TC代表是东芝的产品。

59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。

第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。

第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。

FT为TSOPII封装。

FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

最后的XX是代表速度：

75：7.5ns〔133MHz〕

80：8ns〔125MHz〕

10：10ns〔100MHz CL=3〕

例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。

二.韩国产系列：

韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。

1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。

三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：

KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX

KM代表是三星的产品。

三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。

"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。

"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。

"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

"T"为TSOP封装。

速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。

"G/F"后的X代表速度：

7：7ns〔143MHz〕

8：8ns〔125MHz〕

H：10ns〔PC100 CL2或3〕

L：10ns〔PC100 CL3〕

10：10ns〔100MHz〕

例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit〔16*4〕，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。

三星公布的标准PC133芯片：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

2.HYUNDAI现代

现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。

现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HY 5X X XXX XX X X X X XX-XX

HY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。

第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V,"U"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

16：16Mbits，4K Ref。

64：64Mbits，8K Ref。

65：64Mbits，4K Ref。

128：128Mbits，8K Ref。

129：128Mbits，4K Ref。

256：256Mbits，16K Ref。

257：256Mbits，8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。

第9个X一般为0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：

JC：400mil SOJ

TC：400mil TSOP-II

TD：13mm TSOP-II

TG：16mm TSOP-II

最后几位为速度：

7：7ns〔143MHz〕

8：8ns〔125MHz〕

10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕

10s：10ns〔PC-100 CL3〕

10：10ns〔100MHz〕

12：12ns〔83MHz〕

15：15ns〔66MHz〕

例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。

3.LGS〔LG Semicon〕

LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。

LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

GM72V XX XX X 1 X X T XX

GM代表为LGS的产品。

72代表SDRAM。

第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。

第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。

第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。

第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。

第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。

"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。

最后的XX自然是代表速度：

7.5：7.5ns〔133MHz〕

8：8ns〔125MHz〕

7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕

7J：10ns〔100MHz〕

10K：10ns〔100MHz〕

12：12ns〔83MHz〕

15：15ns〔66MHz〕

例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。

三.欧美生产系列及其它：

在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。

1.Micron。

Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：

MT48 XX XX M XX AX TG-XX X

MT代表是Micron的产品。

48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。

Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。

M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

AX代表Write Recovery〔Twr〕，如A2表示Twr=2clk。

TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。

最后的XX是代表速度：

7：7ns〔143MHz〕

75：7.5ns〔133MHz〕

8X：8ns〔125MHz〕

其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。

10：10ns〔100MHz CL3〕

速度后如有L则为低耗。

2.IBM。

PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。

IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

IBM03 XX XX X XT3X---XXX

IBM代表为IBM的产品。

IBM的SDRAM产品均为03。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。

一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。

第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。

第6个X为P为低功耗，C为普通。

第7个X表示内核的版本。

最后的XXX代表速度：

68： 6.8ns〔147MHz〕

75A: 7.5NS〔133MHz〕

260或222：10ns〔PC100 CL2或3〕

360或322：10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。

10：10NS〔100MHz〕

例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。

3.SIEMENS〔西门子〕

芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x-xx

前两个xx为容量,最后两位xx是速度：

6—166MHz

7—143MHz

7.5—133MHz

8—125MHz

8B—100MHz〔CL3〕

10—100MHz〔PC66规格